中芯国际申请像素形成方法及像素结构、CMOS图像传感器专利可进一步减小的暗电流

　　国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“像素形成方法及像素结构、CMOS图像传感器”的专利，公开号CN121078816A，申请日期为2024年5月。

　　专利摘要显示，一种像素形成方法及像素结构、CMOS图像传感器。所述像素形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有传输晶体管的栅极，所述衬底内形成光电二极管的阱区，所述阱区内形成有光电二极管的P极及N极，所述光电二极管的P极及N极的交界区域为所述光电二极管的第一耗尽区；在所述光电二极管的阱区表面进行第一离子注入，在所述阱区内形成第二耗尽区，所述第二耗尽区的厚度大于所述第一耗尽区的厚度；在所述第一离子注入后，在所述传输晶体管的栅极两侧形成侧墙。采用上述方案，可以进一步减小像素的暗电流。

　　天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司，成立于2003年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本129000万。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司参与招投标项目109次，专利信息391条，此外企业还拥有行政许可291个。

　　中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线条，此外企业还拥有行政许可446个。

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